IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」 – ITmedia

IBMはSamsungとの強力で半導体設計のブレイクスルーを実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで「ムーアの法則」を今後も維持できるとしている。

Source:Itmedia.co.jp ITmedia [read more]