SBDとHEMTを統合したGaNパワー半導体（EE Times Japan） – Yahoo!ニュース – Yahoo!ニュース

ベルギーの研究機関であるimecの研究チームは、GaN（窒化ガリウム）パワーICを次のレベルに引き上げ、スマートパワープラットフォーム上にショットキーバリアダイオード（SBD）とHEMT（高電子移

Source:Yahoo.co.jp EE Times Japan [read more]