京大、界面の高品質化と平坦性向上でSiCのチャネル移動度を6倍以上に向上 – マイナビニュース

京都大学(京大)は10月21日、SiCの欠陥(不完全性)を独自手法で低減することで、実用的なトレンチ構造のSiCトランジスタの性能を従来比で6倍以上向上させることに成功したと発表した。

Source:Mynavi.jp 小林行雄 [read more]