ハイブリッド型トランジスタ、GaNとSiCを一体化（EE Times Japan） – Yahoo!ニュース – Yahoo!ニュース

GaNトランジスタにおける耐圧破壊の課題を解決

　産業技術総合研究所（産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチームの中島昭主任研究員と原田信介研究チーム長は2021年12月、

Source:Yahoo.co.jp EE Times Japan [read more]