現地時間2021年12月14日、IBMがSamsungと共同開発した「トランジスタを縦向きに重ねる」という発想の新型半導体設計「Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)」を発表しました。VTFETは従来型の設計と比べて消費電力あたりの性能を2倍＆エネルギー消費量を85％削減できる可能性があり、「充電せずともバッテリーが1週間持つスマートフォン」の実現につながるとされています。
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