先端半導体「日米一体で」 経産相、IBM幹部らに意向 – 日本経済新聞

【ワシントン=加藤晶也】訪米中の萩生田光一経済産業相は3日（日本時間4日）、日米で協調して最先端の半導体の研究開発に取り組む意向を表明した。ニューヨーク州オールバニにある半導体研究施設を視察し、米IBM幹部らに伝えた。ハイテク分野は米中の覇権争いが激しくなっている。経済安全保障の観点から同盟国の米国と協力を深める。視察したオールバニ・ナノテク・コンプレックスは産官学で最先端半導体の研究開発に取

Source:Nikkei.com 日本経済新聞社 [read more]