NTTが世界初の新型トランジスタ 次世代パワー半導体の実験成功 – 朝日新聞デジタル

NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱…

Source:Asahi.com 朝日新聞デジタル [read more]